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RQ3E100BNTB ROHM Semiconductor 功率MOSFET

无铅/符合RoHs
含税价格:
¥5.22361
1-99件
¥3.01925
100-1499件
¥1.9142
1500-2999件
¥1.38397
≥3000件
商品规格:
RQ3E100BNTB
购买数量:
库存100件
规格说明:
最小包装数为3000
交付说明:
硬件交付 5天内交付
运费说明:
卖家承担运费
开票信息:
支持开具增值税专用发票(可抵扣)、增值税普通发票(不可抵扣)
服务保障:
质保期1年
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产品详情
产品亮点
RQ3E100BNTB ROHM Semiconductor 功率MOSFET
参数信息
制造商
ROHM Semiconductor
制造商编号
RQ3E100BNTB
商品目录
功率MOSFET
FET类型
N-Channel
漏源极电压Vds
30V
连续漏极电流Id
10A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)
4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
22nC @ 10V
栅极电压Vgs
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1100pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)
2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.4mΩ@10A,10V
工作温度
150°C(TJ)
封装/外壳
8-PowerVDFN
价格说明
商品规格数量/时长含税价格
RQ3E100BNTB1-99件¥5.22361/件
100-1499件¥3.01925/件
1500-2999件¥1.9142/件
≥3000件¥1.38397/件
售后服务
发票信息
支持开具增值税专用发票(可抵扣)、增值税普通发票(不可抵扣)
服务保障
质保期: 1年
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