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QS6M4TR ROHM Semiconductor 功率MOSFET

无铅/符合RoHs
含税价格:
¥5.5302
1-99件
¥3.13563
100-1499件
¥1.98799
1500-2999件
¥1.48105
≥3000件
商品规格:
QS6M4TR
购买数量:
库存100件
规格说明:
最小包装数为3000
交付说明:
硬件交付 5天内交付
运费说明:
卖家承担运费
开票信息:
支持开具增值税专用发票(可抵扣)、增值税普通发票(不可抵扣)
服务保障:
质保期1年
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产品详情
产品亮点
QS6M4TR ROHM Semiconductor 功率MOSFET
参数信息
制造商
ROHM Semiconductor
制造商编号
QS6M4TR
商品目录
功率MOSFET
Rds On(Max)@Id,Vgs
230mΩ@1.5A,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.6nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)
80pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max)
1.25W
工作温度
150°C(TJ)
封装/外壳
TSMT
FET类型
N+P-Channel
漏源极电压Vds
30V/20V
连续漏极电流Id
1.5A
价格说明
商品规格数量/时长含税价格
QS6M4TR1-99件¥5.5302/件
100-1499件¥3.13563/件
1500-2999件¥1.98799/件
≥3000件¥1.48105/件
售后服务
发票信息
支持开具增值税专用发票(可抵扣)、增值税普通发票(不可抵扣)
服务保障
质保期: 1年
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